Онлайн смарт ИПБ 10кВА RM/RT 400В
Запрос цены
Это смарт ИБП с силовым модулем в 10кВА и входными/выходными функциями 1/1,1/3,3/1,3/3 режима фазы, а также доступен для опций RT(rackmount-стоечные) или монтирования в башню.
ИБП DSP-10кВА
- Силовой модуль: 10kVA
- Входной/выходной режим фазы: 1/1, 1/3, 3/1, 3/3 phase
- Варианты установки: Rack-mount (стоечный) или tower (башня)
Технические параметры ИБП
Характеристика батареи
| Напряжение батареи | ±240В |
| Ток аккумулятора | 20.8A |
| Макс. зарядный ток | 4A |
Вход переменного тока
| Номинальное входное напряжение | Одна фаза трехпроводной 220V, Трехфазный Четырехпроводной наземная линия 380В |
| Диапазон входного напряжения | 176ВAC-264ВAC, 304ВAC-456ВAC |
| Входной кэффициент мощности | 0.99(100% линейная нагрузка) |
| Входная частота | 40~70Гц |
| Диапазон Синхро частоты | 45Гц~56Гц |
| Номинальная Синхро частота | 0.5~2Гц/с |
Выход переменного тока
| Выходное напряжение переменного тока | Одиночная фаза: 220ВAC/230ВAC/240ВAC Трехфазный: 380ВAC/400ВAC/415ВAC |
| Выходной коэффициент мощности | 0.8 |
| Выходная частота | 50/60Гц |
| Стабильность выходной частоты | ±0.1% |
| Выход THDU | 3%(линейная нагрузка) |
| Точность выходного напряжения | ± 2% |
| Переходный диапазон | ±5%(изменения нагрузки 0%~100%~0%) |
| Продолжительность перехода | 20 мкс |
| Пик фаткор мощности | 3:1(номинальный вход) |
| Задержка выхода при включении | 5~60с |
| Задержа выхода перегрузки во время включеного питания | 1мин 125% номинальная нагрузка |
| Общая эффективность | ≥ 93% |
| Время перехода байпас-инвертор | ≦ 2мкс |
| Неуравновешенность параллельного тока | 5%( ＞50% нагрузка ) |
| Связь | RS232/USB / SNMP (стандарт); SNMP (опционально) |
Прочее
| Габариты (Ш*Г*В)мм | 430*622*132мм |
| Вес (кг) | 25кг |
| Установка | Rack-mount(стоечные)/tower (башня) |
| Уровень акустического шума | ≦ 58дБ |
| Метод теплоотдачи | Принудительное охлаждение воздуха |
| Уровень защиты | IP20 |
| Материал корпуса | Тонкое покрытие оцинкованного алюминия , холоднопрокатная тонколистовая сталь, панель: процесс пластикокового распыления |