Импульсный лазерный диод FP (для оптического рефлектометра)

Запрос цены

О нас: http://laserdiodedevice.ru/2-2-fp-pulsed-diode-laser.html

Лазерный диод для оптического рефлектометра способен работать в импульсном или непрерывном режиме. Основными достоинствами являются низкий пороговой ток, большая выходная мощность и высокая допустимая нагрузка по току. Данная серия лазерных диодов может поставляться с дополнительным выводом на многомодовое оптоволокно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Лазерный модуль 1550нм, Лазер с кристаллом для дальномеров

Характеристики

Высокая выходная мощность Pf = 60 МВт @ IFP = 400 мА
Длина волны λC = 1550 нм
Встроенный монитор PD
Импульсные условия: Ширина импульса (PW) = 10 μs, Работа = 1%

Применение

Распознавание
Лазер-дальномер

Абсолютные максимальные значения

Параметр	Обозначение	Мин	Макс	Единица измерения
Импульсный прямой ток	IFP	-	750	мА
Обратное напряжение	VR	-	2	В
Обратное напряжение (монитор PD)	VRM	-	10	В
Обратный ток (монитор PD)	IFPM	-	2	мА
Рабочая температура корпуса	TC	0	60	℃
Температура хранения	Tstg	-40	85	℃
Температура пайки свинца	Tsld	-	260(10s)	℃
Относительная влажность (без конденсации)	RH	-	85	%

Оптические и электрические характеристики

Параметр	Обозначение	Мин	Типично	Макс	Ед.измерения	Notes
Прямое напряжение	VFP	-	-	3.5	V	IFP = 400 мА, PW = 10 μs, Работа = 1%
Пороговый ток	Ith	-	20	35	mA
Оптическая выходная мощность от SM-волокна	Pf	60	-	-	mW	IFP =400 мА, PW = 10 μs, Работа = 1%
Центральная длина волны	λc	-N	1550	N	nm	PW = 10 μs, Работа = 1% ,N=1/2/3
Спектральная ширина	σ	-	-	1	nm	RMS (−20dB)
Время подъема	tr	-	0.2	0.5	ns	20-80%
Время падения	tf	-	0.2	0.5	ns	80-20%
Монитор тока	Im	0.05	-	-	mA	VRM = 5V

Описание вывода

Контур упаковки

Импульсный лазерный диод 1310 нм для оптического рефлектометра

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите следующий файл: .)

Схема устройства

Импульсный лазерный диод 1490 нм для оптического рефлектометра

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный -файл.)

Оптические или электрические характеристики

Параметр	Обозначение	Мин. значение	Стандартное значение	Макс. значение	Ед. измерения	Примечание
Прямое напряжение	VFP			3,5	В	IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток	Ith		20	35	мА
Оптическая выходная мощность волокна	Pf	40	60		мВт	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны	λc	1470	1490	1510	нм	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра	σ			4	нм	RMS (−3 дБ)
Время нарастания	tr		0,5	2,0	нс	10-90%
Время спада	tf		0,5	2,0	нс	90-10%
Ток мониторинга	Im	0,05		2	мА	VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1550 нм для оптического рефлектометра

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите следующий файл: или

Оптические или электрические характеристики

Параметр	Обозначение	Мин. значение	Стандартное значение	Макс. значение	Ед. измерения	Примечание
Прямое напряжение	VFP			3,5	В	IFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток	Ith		20	35	мА
Оптическая выходная мощность волокна	Pf	60			мВт	IFP =450 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны	λc	1530	1550	1570	нм	PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра	σ			4	нм	RMS (−3 дБ)
Время нарастания	tr		0,5	2,0	нс	10-90%
Время спада	tf		0,5	2,0	нс	90-10%
Ток мониторинга	Im	0,05		2	мА	VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный -файл.)

Импульсный лазерный диод 1625 нм для оптического рефлектометра оснащен FP чипом высокой мощности с низким пороговым током. Он способен работать в двух режимах: импульсном и непрерывном. Многомодовое оптическое волокно – опционалльно. Помимо оптических рефлекторов импульсные лазерные диоды могут применяться в системах связи и тест-системах, разработанных на основе комбинационного рассеяния.

Оптические или электрические характеристики

Параметр	Обозначение	Мин. значение	Стандартное значение	Макс. значение	Ед. измерения	Примечание
Прямое напряжение	VFP			3.0	В	IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток	Ith		20	35	мА
Оптическая выходная мощность волокна	Pf	40			мВт	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны	λc	1620	1625	1630	нм	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра	σ			4	нм	RMS (−3 дБ)
Время нарастания	tr		0.5	2.0	нс	10-90%
Время спада	tf		0.5	2.0	нм	90-10%
Ток мониторинга	Im	0.05		2	мА	VRM = 5В

Импульсный лазерный диод 1650 нм 30 мВт для оптического рефлектометра

(Чтобы получить более детальную информацию о продукте, пожалуйста, загрузите данный -файл.)

Оптические или электрические характеристики

Параметр	Обозначение	Мин. значение	Стандартное значение	Макс. значение	Ед. измерения	Примечание
Прямое напряжение	VFP			3,0	В	IFP = 400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Пороговый ток	Ith		20	35	мА
Оптическая выходная мощность волокна	Pf	30			мВт	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Средняя длина волны	λC	1645	1650	1655	нм	IFP =400 мА, PW = 10 мкс, нагрузка = 1%
Ширина спектра	σ			4	нм	RMS (−3 дБ)
Время нарастания	tr		0,5	2,0	нс	10-90%
Время спада	tf		0,5	2,0	нм	90-10%
Ток мониторинга	Im	0,05		2	мА	VRM = 5В

На протяжении многих лет наша компания занимается производством импульсных лазерных диодов для оптических рефлектометров. Помимо данной продукции мы также предлагаем следующие изделия: лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», лазерные диоды для обнаружения газов, Pin-фотодиоды, красные лазерные диоды и многое другое.

Схожие названия
Лазерный диод импульсного режима | Лазерный диод с волоконным выводом | Источники лазерного излучения
лазерные диоды с волоконным выводом в корпусе типа «бабочка», лазерные диоды для обнаружения газов, Pin-фотодиоды, красные лазерные диоды и многое другое.

Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.

Контактное лицо:Wendy
Skype:
Тел.:
Факс: 86-27-87172995
Мобильный тел.: 86-15902779619
Эл. почта:
Вебсайт: www.laserdiodedevice.com