Кремниевые планарные n-p-n транзисторы A8

Запрос цены

О нас: http://zhongtongbus.ru/2-2-2-n-series-city-bus.html

Кремниевые планарные n-p-n транзисторы (метод тройной диффузии) обладают большой областью надежной работы и оснащен встроенным разрядным диодом. Данные транзисторы используются для электронных балластов, а также высоковольтных высокоскоростных переключателей.

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (TA=25°C)

Параметр	Обозначение	Значение	Единица измерения
Напряжение коллектор-база	V_CBO	700	В
Напряжение коллектор-эмиттер	V_CEO	400	В
Напряжение эмиттер-база	V_EBO	12	В
Ток коллектора	I_C	4.0	A
Ток базы	I_B	2.0	A
Общая рассеиваемая мощность	P_tot	30	Вт
Максимально допустимая температура перехода	T_J	150	°C
Температура хранения	T_STG	-55 до 150	°C

Электрические характеристики (TA=25°C)

Параметр	Обозначение	Условия испытания	Мин.	Тип.	Макс.	Единица измерения
Обратный ток коллектора	I_CBO	V_CE=700В_,I_E=0	-	-	100	μA
Обратный ток эмиттера	I_EBO	V_EB=9В_,I_C=0	-	-	100	μA
Коллектор-эмиттер рабочее напряжение	V_CEO_(sus)	I_C=5.0мA_,I_B=0	400	-	-	В
Коэффициент усиления по току	h_FE₍₁₎	V_CE=5В_, I_C=10мA	10	-	-
Коэффициент усиления по току	h_FE₍₂₎	V_CE=5В_,I_C=2.0A	8		40
Напряжение насыщенияколлектор-эмиттер	V_CE(sat)	I_C=1.0A, I_B=0.2A	-	-	1.0
Напряжение насыщенияколлектор-эмиттер	V_CE(sat)	I_C=2.5A, I_B=0.5A	-		1.5	В
Напряжение база-эмиттер	V_BE(sat)	I_C=1.0A, I_B=0.2A	-	-	1.2
Напряжение база-эмиттер	V_BE(sat)	I_C=2.5A, I_B=0.5A			1.8	В
Падение напряжения на внутреннем диоде	V_f	I_F=2.0A	-	-	2.5	В
Время выключения	t_S	I_B1= I_B2=0.4A, T_P=30μs	-	2.0	4.0	μs

Схожие названия
Высокомощные транзисторы | Полупроводниковые триоды

Схожая продукция