Кремниевые n-p-n транзисторы A3

Запрос цены

О нас: http://zhongtongbus.ru/2-2-2-n-series-city-bus.html

Кремниевые n-p-n транзисторы– это высокомощные транзисторы с пластмассовым корпусом. Такие транзисторы в основном используются для переключательных схем.

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (TA=25°C)

Параметр	Обозначение	Значение	Единица измерения
Напряжение коллектор-база	V_CBO	850	В
Напряжение коллектор-эмиттер	V_CEO	400	В
Напряжение эмиттер-база	V_EBO	9	В
Ток коллектора	I_C	15	A
Ток базы	I_B	10	A
Общая рассеиваемая мощность	P_tot	175	Вт
Максимально допустимая температура перехода	T_J	150	°C
Температура хранения	T_STG	-55 до 150	°C

Электрические характеристики (TA=25°C)

Параметр	Обозначение	Условия испытания	Мин.	Тип.	Макс.	Единица измерения
Обратный ток коллектора	I_CBO	V_CE=850В, I_E=0	-	-	1.0	мA
Обратный ток эмиттера	I_EBO	V_EB=9В, I_C=0	-	-	1.0	мA
Коллектор-эмиттер рабочее напряжение	V_CEO_(sus)	I_C=10мA, I_B=0	400	-	-	В
Коэффициент усиления по току	h_FE₍₁₎	V_CE=2.0В, I_C=5.0A	12	-	60	-
Коэффициент усиления по току	h_FE₍₂₎	V_CE=2.0В, I_C=10A	6	-	30	-
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	V_CE_(sat)	I_C=10A, I_B=2.0A	-	-	1.5	В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	V_CE_(sat)	I_C=15A, I_B=3.0A	-	-	5.0	В
Напряжение база-эмиттер	V_BE_(on)	I_C=10A, I_B=2.0A	-	-	1.6	В
Граничная частота	f_T	V_CE=10В, I_C=0.5A, f=1МГц	6.0	－	35	МГц
Время отключения	t_S	I_B1=-I_B2=2.0A, Tp=25μs	－	－	4.0	μs

Схожие названия
Усилитель | Высокомощный транзистор

Схожая продукция