Лазерный эллипсометр
Высокоточный прибор исследовательского уровня, использующий лазер и работающий по принципу эллипсометра, устанавливает стандарты точных измерений, определяя толщину пленки, показатель преломления (n) и коэффициент затухания (k) с исключительной точностью. Универсальность прибора позволяет применять его в различных областях, таких как исследования полупроводников, интегральные схемы, технологии отображения, солнечные элементы, оптические пленки, медико-биологические науки, электрохимические исследования, хранение магнитных носителей, обработку полимеров и металлических поверхностей. Его возможности покрывают широкий спектр задач - от анализа тонких оптических пленок до применения в медицинских науках, от химических исследований до хранения данных на магнитных носителях, что делает его востребованным инструментом как для исследователей, так и для инноваторов.
Предлагаемый нами передовой лазерный эллипсометр для тестирования солнечных элементов обеспечивает точные измерения толщины отражающей пленки, параметров преломления (N) и коэффициента затухания (K). Интегрированный с запатентованными технологиями и универсальной платформой для образцов, эллипсометр легко обрабатывает образцы как монокристаллических, так и поликристаллических солнечных элементов, предлагая двойную функциональность. Кроме того, усовершенствованный новой технологией подготовки образцов, эллипсометр обеспечивает точное позиционирование для получения результатов. Многопоточное программное обеспечение повышает удобство работы пользователя, делая анализ солнечных элементов простым и эффективным.
Применение лазерного эллипсометра охватывает широкий диапазон, что делает его универсальным для различных отраслей промышленности. Эллипсометр нашей компании подходит для измерения одиночных и поликристаллических солнечных элементов, в том числе с замшевым покрытием и тонкими пленками, предоставляя точные данные о толщине нанопокрытия, показателе преломления (n) и коэффициенте экстинкции (K). Наше устройство прекорасно подходит для интеграции в линии сборки солнечных элементов. Кроме того, лазерный ээлипсометр находит применение в лабораторных условиях для исследования технологий производства тонких нанопленок и их применения в полупроводниках, микроэлектронике, интегральных схемах, оптических тонких пленках, медицине и биологических науках, электрохимии, плоских дисплеях, хранении магнитных носителей, а также полимерах и металлах. обработка.
| Длина волны лазера | 632.8 нм (Гелий-неоновый лазер) |
| Точность толщины покрытия | 0,01 нм (для покрытия SiO2 на 110 нм на основе Si) 0,05 нм (для покрытия Si3N4 на 80 нм на основе текстурированной подложки Si) |
| Точность измерения преломления | 1х10-4 (для покрытия SiO2 на 110Нм на основе Si) 5x10-4 (для покрытия Si3N4 на 80нм на основе текстурированной Si-подложки) |
| Оптическая структура | PSCA |
| Диаметр лазерного луча | < 1 мм |
| Угол падения | 40 °-90 ° (опция), шаг 5 ° |
| Размер стола для образцов | Совместим с монокристаллами размером 125*125 мм и 156*156 мм, а также с поликристаллическими образцами клеток. |
| Время однократного измерения | 0.2 с |
| Рекомендуемый диапазон измерения | 0-6000 нм |
| Максимальный размер (Д×Ш×В) | 991×332×558 мм (при угле падения 70 º) |
| Вес нетто | 25 кг |
Многоугольный лазерный эллипсометр EM01-RD - универсальный инструмент для исследований и разработок нанопокрытий. Эллипсометр превосходно справляется с точным измерением толщины нанопокрытий, показателя преломления (n), коэффициента экстинкции (K) и многого другого. Применение распространяется как на гладкие, так и на текстурированные нанотонкие пленки, твердые комки и нанопокрытия с быстрыми изменениями, что позволяет проводить измерения в реальном времени. Оснащенный запатентованными технологиями и настраиваемыми функциями, наше лазерное устройство обеспечивает простоту использования и гибкость, что повышает ценность эллипсометра в исследованиях и разработках.
Область применения лазерного эллипсометра обширна: позволяет быстро и высокоточно измерять толщину покрытия, показатель преломления (n) и коэффициент затухания (K) для образцов тонких нанопокрытий. Особенно подходящий для новых научных исследований и промышленных продуктов, эллипсометр характеризует тонкие слои, многослойные нанометровые структуры и объемные материалы (подложки) с исключительной точностью. Универсальность нашего устройства распространяется на различные области применения тонких нанопокрытий, включая микроэлектронику, исследования полупроводников, интегральные схемы, технологию отображения, солнечные элементы, оптические покрытия, науки о жизни, электрохимию, хранение магнитных носителей, полимеры и обработку поверхности металлов.
| Длина волны лазера | 632.8 нм (Гелий-неоновый лазер) |
| Точность толщины покрытия | 0.01 нм (для покрытия SiO2 на 110 нм на основе Si) |
| Точность измерения преломления | 1x10-4 (для покрытия SiO2 на 110 нм на основе Si) |
| Оптическая структура | PSCA |
| Диаметр лазерного луча | < 1 мм |
| Угол падения | 40°-90° (опция), шаг 5° |
| Размер стола для образцов | Ø170 мм |
| Время однократного измерения | 0.2 с |
| Рекомендуемый диапазон измерения | 0-6000 нм |
| Максимальный размер (Д×Ш×В | 887×332×552 мм (при угле падения 70 º) |
| Вес нетто | 25 кг |
